时隔一年，SK海力士、美光和三星都宣布将推出超过300层的NAND flash存储芯片，这是美系芯片在芯片堆叠技术上再次反超国产存储芯片，如今国产存储芯片技术仍然停留在232层，已落后于美系芯片。
国产存储芯片成立于2016年，从最基础的32层开始做起，随后升级到64层，而当时美系芯片已量产128层，考虑到技术方面的落后，国产的32层和64层存储芯片都未有大规模量产，仅是用于积累技术。
国产存储芯片的努力取得了效果，随后又花了1年多时间量产128层NAND flash存储芯片，赶上了全球主流技术水平，由此国产存储芯片逐渐打破零的市场空白，与美系芯片展开较量，市占率迅速达到5%，给三星、SK海力士和美光予以巨大打击。
2022年国产存储芯片宣布量产全球最先进的232层NAND flash存储芯片，今年6年时间国产存储芯片在技术上就从零取得技术第一名，更是震惊了美国，随着国产存储芯片技术的发展，国产存储芯片从去年至今发起了猛烈的攻势。
去年以来，存储芯片的价格持续下跌，接近腰斩，国产的2TB固态硬盘的价格已跌至800元左右，而就在两三年由美系芯片垄断的时候2TB固态硬盘的价格可是高达3000元，在电商平台国产的固态硬盘经常位居热销榜前二。
随着国产存储芯片发起猛烈的进攻，美系芯片陷入窘境，美光最先在2022年Q4出现亏损，今年一季度美光的亏损再创新高纪录，营收仅40亿美元而亏损高达23亿美元，可以说亏到裤子都没了。
三星和SK海力士同样不好过，存储芯片是三星的最大利润来源，随着存储芯片价格的下跌，今年一季度和二季度，三星的利润都下滑了超过九成；SK海力士也出现了巨额亏损，可以说在中国存储芯片的攻势下，美系芯片已全面失利。
正是眼见着中国存储芯片的技术突破，美国害怕了，在2022年10月突然对中国存储芯片采取措施，限制对中国这些存储芯片企业提供先进光刻机、芯片材料等，甚至连已卖给中国存储芯片的光刻机等设备，在维修、零件更换等方面都进行限制，以致于某国产存储芯片企业愤怒地表示既然买来的设备不给用，那么ASML就应该将这些光刻机回购才直接导致国产存储芯片的技术创新陷入停滞。
到如今国产存储芯片仍然停留在232层，而美系芯片已开始量产300多层的NAND flash芯片，如此美系芯片可以凭借技术再次抢回市场，毕竟堆叠的层数越多、成本就越低，业界人士认为300多层NAND flash的成本将比国产的232层降低一半，从而帮助他们挽回市场劣势。
事实证明了依赖海外技术终究很难取得技术领先优势，国产芯片一旦取得领先技术优势就会承受打压，华为如此，如今的存储芯片也是如此，美国将技术限制这一套玩得很溜，不过随着国产光刻机的进展，相信国产存储芯片很快能再度取得技术领先优势。
近期知名媒体报道指出国产28纳米光刻机快来了，28纳米光刻机为浸润式光刻技术的入门，这也意味着国产浸润式光刻机已取得突破，浸润式光刻技术可以应用到7纳米，随着国产先进光刻机的量产，国产存储芯片将突破限制，因为存储芯片只需要用到14纳米以上的光刻机，因为存储芯片无法采用更先进的工艺，当前全球存储芯片最先进的工艺也不过是15纳米，国产光刻机的量产将再次为国产存储芯片插上腾飞的翅膀。
