分析机构指出三星、美光、SK海力士已联手调价,对NAND flash芯片涨价10%,显示出他们在再次取得技术优势之后,开始重新掌握定价权,开启涨价收割市场了,这与他们所说的技术升级而成本将下降形成了鲜明对比,可以说撕下了他们的遮羞布。

美系芯片技术反超,再次联手涨价,遮羞布被撕下了

一、中国芯片技术反超推动存储芯片降价

2022年中国的存储芯片企业表示率先量产全球最先进的232层NAND flash存储芯片,由此国产芯片取得了技术优势,同时国产存储芯片的二期工程也在去年量产,依靠领先的技术优势以及成本优势,国产存储芯片开始反击美系芯片。

在国产存储芯片的猛烈攻势下,从去年中至今年上半年,全球存储芯片的价格腰斩,这给予美系芯片造成巨大的打击。美光首先出现亏损,今年一季度更是创下历史最高的亏损纪录,营收仅40亿美元,亏损却高达23亿美元。

美系芯片技术反超,再次联手涨价,遮羞布被撕下了

面对着亏损的业绩,美光率先挂起免战牌,美光对经销商表示不会再跟进降价。对美光予以重击的还有中国对它的安全审查,这几乎导致它丧失了中国的企业市场,由此它在中国市场取得的收入迅速从早年的170多亿美元降低至如今的几十亿美元。

韩国存储芯片同样遭受重大打击,韩国存储芯片大约有六成出口至中国市场,随着中国存储芯片的举起,国产存储芯片大举替代进口芯片,直接导致韩国对中国的芯片出口暴跌,今年初曾有数据指出韩国对中国的芯片出口下滑了四成,导致三星、SK海力士等韩国存储芯片的库存高涨,韩媒报道指三星的库存芯片金额高达3400亿元。

美系芯片技术反超,再次联手涨价,遮羞布被撕下了

可以看出国产存储芯片在技术和产能取得进展后,大举抢占国内市场,给美系芯片造成了巨大的打击,在市场上竞争不过,于是美国采取了措施,限制芯片设备企业和材料企业给中国的存储芯片企业供应相关的产品,导致中国的存储芯片技术升级放缓。

二、美系芯片取得技术反超

近期消息指出三星、美光等都已研发成功300层以上的NAND flash,技术的升级让同样面积的存储芯片可以提供更大的容量,本来如此做可以大幅降低存储芯片单位成本,存储芯片理应进一步降价。

然而近期他们却联手涨价,这次涨价10%,估计只是起点,在上一个存储芯片繁荣周期,存储芯片的价格曾上涨一倍以上,导致手机企业、PC企业叫苦不迭,而美系芯片企业的利润却是持续大幅增长,乃至倍增,赚得盆满钵满。

美系芯片技术反超,再次联手涨价,遮羞布被撕下了

可以看出中国存储芯片的竞争力下滑,让美系芯片不再感受到压力,没有了竞争对手,这就让美系芯片开始肆无忌惮的涨价。其实这已不是美系芯片如此做了,多年前他们就被欧盟和美国进行反垄断调查,被罚款数亿美元,证明了他们向来有联手涨价的惯例。

美系芯片涨价,对中国的消费电子产业不利,中国是全球最大的存储芯片采购国,中国生产了六成的PC、七成的手机,这些消费电子产品都需要大量的存储芯片,存储芯片涨价,显然对中国制造不利。

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这样的事实说明国产芯片需要真正自立自强,如果没有足够的话语权,海外芯片企业就是肆无忌惮的涨价,从中国企业身上赚取更多的利润,不过中国的存储芯片已具有较强的技术基础,而国产光刻机也已取得突破,相信国产存储芯片的技术很快就会再次反超,美系芯片再次收割中国制造的愿望恐怕很难再次实现。